upgrade mémoire

[havardjc]

Bonjour,
sur une carte mère MS 7293 comprenant 2 connecteurs mémoire équipé chacun d'un module samsung de 1 giga type
M3 78T 2953 CZ3-CD5, est il possible de passer à 4 gigas en utilisant des modules M3 78T 5663 EH3-CE7 ou équivalents ?
voici les caractéristiques de la carte mère et du processeur

***** Début du Rapport *****
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<<< Carte-mère >>>
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< Système >
Fabricant: Fujitsu Siemens
URL: http://www.fujitsu-siemens.com
Modèle: MS-7293
Version: 1.00
ID: AEA1FE04-11DA7A83-C46C0A83-26700B01

< Carte mère >
Fabricant: Fujitsu Siemens
URL: http://www.fujitsu-siemens.com
Support MP: Non
Version MPS: 1.40
Modèle: MS-7293
Version: 1.00
BIOS Système: 12/21/2006-PT890-8237A-6A7L8M4BC-00
Chipset: VIA PT890

< Système Contrôleur Mémoire >
Localisation: Carte mère
Possibilité de Correction d'Er:Aucun
Nombre de Connecteurs de Mémoi:2
Mémoire Maximum Installable: 1Go
Bank0/1 - A0: None None None None DIMM 1Go
Bank2/3 - A1: None None None None DIMM 1Go

< Chipset >
Modèle: VIA Standard Host Bridge
Nom du Dispositif OEM: VIA Standard Host Bridge
Révision: A1
Bus: AGTL+ Intel
Vitesse du Bus Principal: 4x 266MHz (1GHz)
Vitesse FSB Maximum: 4x 200MHz (800MHz)
Largeur: 64-bit
Profondeur d'Attente IO: 12 Requête(s)
Priorité de Profondeur de File:4 Requête(s)
Largeur de Bande Maximum du Bu:8.31Go/s
Puissance Maximum: 3.60W

< Interface Hub Chipset 1 >
Typ: V-Link
Version: 7.00
Multiplicateur: 2x
Vitesse: 1x 66MHz (66MHz)
Profondeur d'Attente IO: 9 Requête(s)

< Banques de Mémoire Logique/Chipset >
Banque 0: 512Mo DDR2 4-4-4-11 2-15-4-2 2T
Banque 1: 512Mo DDR2 4-4-4-11 2-15-4-2 2T
Banque 2: 512Mo DDR2 4-4-4-11 2-15-4-2 2T
Banque 3: 512Mo DDR2 4-4-4-11 2-15-4-2 2T
Types de Mémoire Supportés: DDR DDR2
Canaux: 1
Banque Intercalée: jeu à 4 voies
Vitesse du Bus Mémoire: 2x 266MHz (532MHz)
Vitesse Mémoire Maximum: 2x 400MHz (800MHz)
Multiplicateur: 1x
Largeur: 64-bit
Taux de Rafraîchisement: 21.44µs
Mode Economie d'Energie: Non
Trou Présent Fixé: Non
Largeur de Bande Maximum du Bu:4.16Go/s

< APIC 1 >
Modèle: VIA I/O APIC Interrupt Controller
Révision: A1
Version: 0.03
Vitesse: 17MHz
Multiplicateur: 1/2x
Interruptions Maximums: 24
Descripteur IRQ Engagé: Oui
Support Amélioré: Oui

< Module de Mémoire >
Fabricant: Samsung
URL: http://www.samsung.com/us/
Modèle: M3 78T2953CZ3-CD5
Numéro de Série: F14CEC59
Typ: 1Go DIMM DDR2
Technologie: 16x(64Mx8)
Vitesse: PC2-4300U DDR2-534
Fréquences Moniteur Standard: 4-4-4-11 2-15-4-2
Version: 1.02
Ligne CC Mémoire: 1.80V
Régler le Minutage @ 267MHz: 5-4-4-11 2-15-4-2
Régler le Minutage @ 267MHz: 4-4-4-11 2-15-4-2
Régler le Minutage @ 200MHz: 3-3-3-8 2-11-3-2

< Module de Mémoire >
Fabricant: Samsung
URL: http://www.samsung.com/us/
Modèle: M3 78T2953CZ3-CD5
Numéro de Série: F14CEC6D
Typ: 1Go DIMM DDR2
Technologie: 16x(64Mx8)
Vitesse: PC2-4300U DDR2-534
Fréquences Moniteur Standard: 4-4-4-11 2-15-4-2
Version: 1.02
Ligne CC Mémoire: 1.80V
Régler le Minutage @ 267MHz: 5-4-4-11 2-15-4-2
Régler le Minutage @ 267MHz: 4-4-4-11 2-15-4-2
Régler le Minutage @ 200MHz: 3-3-3-8 2-11-3-2

< Moniteur 1 d'Environnement >
Modèle: Winbond W83627EHG ISA
Version: 10.01
Support Spécifique de la Carte:Non

< Moniteur 2 d'Environnement >
Modèle: Intel Core CPU [P0, C2, T70]
Version: 15.06
Support Spécifique de la Carte:Non

< Sonde(s) de Température >
Température de la Carte Mère: 30.00°C
Température CPU 1: 24.00°C td
Température CPU 2/Auxiliaire: 42.50°C

< Sonde(s) de Voltage >
Ligne CC CPU 1: 1.37V
Ligne CC CPU 2/Aux: 3.30V
Ligne CC +3.3V: 3.30V
Ligne CC +5V: 4.64V
Ligne CC +12V: 12.37V
Ligne CC Standby: 3.30V
Ligne CC Batterie: 3.21V

<<< Processeurs >>>
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<< 1 CPU [0 Processeur, 0 Coeur, 0 Thread] >>
< Processeur >
Fabricant: Intel
Modèle: Intel(R) Core(TM)2 CPU 6300 @
1.86GHz
URL: http://www.intel.com
Vitesse: 1.86GHz
Pic de Performance du Traiteme:14.9GFLOPS
Performance de Pic Ajusté (APP:4.47WG
Noyaux par Processeur: 2 Unité(s)
Threads par Noyau: 1 Unité(s)
Typ: Double Coeur
Bus: AGTL+ Intel
Package: FC LGA775
Vitesse Maximale: 1.86GHz / 4x 267MHz (1GHz)
Multiplicateur: 7x
Minimum/Maximum/Multiplicateur:6x - 7x
Génération: G8
Nom: C2DC (Conroe) Core 2 Duo 65nm 2.4-3.33GHz
1.0375-1.3V
Révision/Echelonnement: 0 / F / 6
Masque d'Echelonnement: B2
Micro-code: MU060F06CB
Niveau de Tension du Noyau: 1.325V
Tension du Noyau Min/Max: 0.825V - 1.325V
Puissance Maximum: 45.70W
Adressage Physique / Virtuel M:36-bit / 48-bit
Taille de Page Native: 4ko

< Options MP >
Amorçage du CPU: Oui
APIC Global Engagé: Oui
x2APIC - Mode APIC v2: Non
ID APIC: 0 : P0C0T0
ID de Cluster APIC: 0
ID d'Arbitrage: 0
Plage de Mémoire: 00000000FEE00000 soit 4.276.092.928